Microscopio electrónico de transmisión (TEM) de emisión de campo, 200KV, 1500000x

Microscopio electrónico de transmisión (TEM) de emisión de campo, 200KV, 1500000x

Características

1. Aumento 1x~1500000x, resolución de línea TEM 0.25nm, resolución de red TEM 0.2nm
2. Voltaje de aceleración 80~200kV, goniómetro excéntrico motorizado de 5 ejes, platina computarizada con portamuestras de doble inclinación
3. Bomba de vacío sin aceite, vacío del cañón <1x10-6Pa, vacío de la columna <5x10-5Pa
4. Cámara CMOS de 20M de montaje inferior, 5120x3840, incluye computador y software
5. Corriente de sonda ≥1.5nA/1nm, corriente de haz ≥50nA disponible a 200kV; actualizable a STEM, muestras criogénicas, tomografía y EDS
6. Es un microscopio electrónico de transmisión (TEM) de emisión de campo, 200KV, 1500000x, desarrollado y diseñado de forma independiente para ciencia de materiales, semiconductores y otros campos. Este microscopio electrónico está diseñado para ser de operación simple y muy estable, y ofrece soluciones como análisis in situ, alta resolución y difracción de electrones en microcristales.
7. Diseño pensado para el usuario: apariencia e interfaz de usuario refinadas, con una imagen visual renovada, que responden a las necesidades de operación de usuarios de distintos niveles; incluye videotutoriales de operación.
8. Nuevo diseño de la columna: usa un sistema condensador de cuatro etapas con control independiente, lo que ayuda a controlar el ángulo de convergencia y la intensidad del haz de electrones en distintos estudios de imagen; además tiene una pieza polar grande, que permite caracterización in situ en distintas condiciones.
9. Calidad de imagen: el microscopio electrónico tiene una cámara CMOS muy sensible, que permite obtener imágenes de calidad sin dificultad.
10. Microscopio electrónico de transmisión (TEM) de emisión de campo, 200KV, 1500000x
11. Voltaje de aceleración: 200 kV, alineado de fábrica a 80 kV y 200kV
12. Fuente de electrones: emisor de campo Schottky de alto brillo
13. Corriente de sonda: ≥ 1.5nA/1nm de sonda
14. Corriente de haz: máximo ≥ 50nA a 200kV
15. Resolución puntual TEM: 0.25 nm
16. Resolución de red TEM: 0.1 nm
17. Aumento: 20x a 1500000x.
18. Vacío del cañón FEG: < 1x10-6Pa,
19. Vacío de la columna TEM: <5x10-5Pa
20. Goniómetro: goniómetro totalmente excéntrico con los 5 ejes motorizados
21. Cámara: cámara CMOS EMSIS XAROSA de 20M de montaje inferior y velocidad mejorada, 5120x3840
22. Platina: platina computarizada con portamuestras de doble inclinación, X ±1mm, Y ±1mm, Z ±0.35mm, α ±25°, β ±25°
23. Actualizable: STEM, muestras criogénicas, tomografía, análisis EDS
24. Accesorios opcionales
25. Instalación: paquete opcional de servicio de instalación en sitio y capacitación de operación
26. STEM: detector STEM anular PNDetector, módulo ADV-STEM (incluye STEM-HAADF y BF)
27. EDS: Bruker XFlash 7T30S
28. Portamuestras para tomografía: 1. Tamaño de muestra: φ3mm. 2. Rango de inclinación alfa: ±70°. 3. Resolución: ≤0.34nm (en cualquier dirección). 4. Tasa de deriva: <1.5nm/min. 5. Campo visual: ≥1.6mm@70° de inclinación.
29. Portamuestras criogénico: 1. Tamaño de muestra: φ3mm. 2. Rango de inclinación alfa: ±70°. 3. Resolución: ≤0.34nm (en cualquier dirección). 4. Tasa de deriva: <1.5nm/min. 5. Campo visual: ≥1.6mm@70° de inclinación. Estación de bombeo molecular: 1. Vacío final por debajo de 10e-7 mbar. 2. Multifuncional: almacenamiento de muestras y varillas, prueba de fugas de la varilla in situ.